график работы Пн-Пт: 10-19 info@hgtech.ru Обратная связь
Москва, Кронштадтский
бульвар, д.7а, оф.301
Главная О компании Услуги Новости Вакансии Вопрос-ответ Отзывы Контакты
Заказать услуги нашей компании Вы можете прямо сейчас!
Для этого нужно всего лишь заполнить простую форму:
Или позвоните по телефону 8(800) 555-04-66
В ближайшее рабочее время с Вами свяжутся наши менеджеры для уточнения деталей Вашего заказа

Вертикальное профилирование

При проведении сейсморазведки используются разные технологии и методы. Один из них получил наибольшее распространение и называется вертикальное сейсмическое профилирование. Суть его заключается в использовании датчиков-приемников, которые монтируют в пробуренной скважине. Затем создается источник сейсмических волн, например, взрыв. Волна доходит до приемника, регистрируется, а на основании полученных данных делают выводы о том, какой почвенный состав встретился на её пути.

Перед тем как начать вертикальное сейсмическое профилирование, необходимо подобрать скважину из тех, что уже присутствуют на исследуемом участке или пробурить новую. К стенкам скважины крепятся излучатели сейсмических волн, в роли которых может выступать специальное вибрирующее оборудование. Иногда закладывают взрывчатку.

Приемники сейсмоколебаний передают полученную информацию на станцию, где данные обрабатываются. В настоящее время запись сейсмологических колебаний осуществляется в цифровом режиме, то есть с помощью компьютерной техники. Это позволяет быстро копировать данные и составлять резервную информационную базу на случай, если основная будет утеряна.

Вертикальное сейсмоакустическое профилирование применяется не только на суше, но и на море (в гидрогеологии). Проводить подобные исследования разрешается только в спокойную погоду. Приемник во время диагностики помещается в полихлорвиниловую оболочку, заполненную маслом. С помощью вертикального профилирования удается просветить дно океана, узнать его строение и плотность. Но понять состав морского донного грунта можно лишь после изучения в лаборатории взятых образцов.